N 型技术：采用隧道氧化钝化接触技术，降低 LID/LeTID 衰减，提升弱光性能。
双面发电：背面受光越多，发电增益越高，显著降低度电成本。
SMBB 技术：优化光捕获和电流收集，提升功率输出和可靠性。
HOT 3.0 技术：结合晶科能源技术，提高可靠性和效率。
增强机械负载：通过认证可承受正面 5400 Pa、背面 2400 Pa 的最大静态测试负载。
抗 PID 保证：通过电池生产技术和材料控制优化，减少 PID 现象导致的衰减。
电气性能：各型号在标准测试条件（STC：1000W/m² 辐照度、25℃电池温度、AM=1.5）和双面组件标准条件（BNPI：正面 1000W/m²、背面 135W/m² 辐照度等）下，均有明确的最大功率（Pmax）、电压（Vmp、Voc）、电流（Imp、Isc）及转换效率（最高达 23.99%）参数。
应用条件：工作温度范围为 - 40°C ~ +70°C，最大系统电压 1500 VDC（IEC），具备特定的双面率系数（φ Voc：98±5% 等）。
包装配置：每托盘装载 36 片，两托盘为一堆叠（72 片），一个 40'HQ 集装箱可装载 720 片，各型号托盘尺寸略有差异（如 JKM575-600N 托盘尺寸 2338×1140×1251 mm）。
质保：首年衰减率 1%，后续年衰减率 0.40%。
认证：符合 IEC61215:2021、ISO9001:2015 等多项国际标准。